●隨著平面型閃存存儲(chǔ)器的發(fā)展，半導(dǎo)體的生產(chǎn)工藝獲得了巨大的進(jìn)步。但是近年來(lái)，平面型閃存存儲(chǔ)器遭遇了如何突破存儲(chǔ)電子密度極限等挑戰(zhàn)。在此背景下，為解決平面閃存存儲(chǔ)器遇到的困難以及追求更低的單位存儲(chǔ)單元的生產(chǎn)成本，各種不同的三維閃存存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)應(yīng)運(yùn)而生。其中，3D NAND因其小體積、大容量，并且通過(guò)增加立體硅層的辦法，既可以提高單位面積存儲(chǔ)密度，又能改善存儲(chǔ)單元性能等優(yōu)點(diǎn)，己經(jīng)成為新興存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的主流工藝。為此，不少企業(yè)就該工藝提交專利申請(qǐng)，開(kāi)展
專利布局。
●在2019年專利復(fù)審無(wú)效十大案件中，一起涉及3D NAND閃存結(jié)構(gòu)制作工藝的專利復(fù)審案件引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注。
專利申請(qǐng)遭駁回
長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司成立于2016年7月，是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案，其供應(yīng)的3D NAND閃存晶圓及顆粒、嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。
2017年8月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交了一件名為“一種改善接觸孔插塞氧化物凹陷的工藝方法”的
發(fā)明專利申請(qǐng)（專利申請(qǐng)?zhí)枺篊N201710733227.0）。針對(duì)該申請(qǐng)，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局實(shí)質(zhì)審查部門（下稱實(shí)質(zhì)審查部門）于2019年2月作出駁回決定，認(rèn)為在權(quán)利要求1與對(duì)比文件1具有的多個(gè)區(qū)別技術(shù)特征之中，部分區(qū)別技術(shù)特征是本領(lǐng)域的公知常識(shí)，其余區(qū)別技術(shù)特征是在對(duì)比文件2給出的技術(shù)啟示下結(jié)合本領(lǐng)域的常用技術(shù)手段容易想到的。因此，權(quán)利要求1相對(duì)于對(duì)比文件1、對(duì)比文件2以及公知常識(shí)的結(jié)合不具備創(chuàng)造性。據(jù)介紹，對(duì)比文件1公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，對(duì)比文件2公開(kāi)了一種淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司對(duì)上述駁回決定不服，于2019年4月向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提出了復(fù)審請(qǐng)求。
認(rèn)定具備創(chuàng)造性
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局成立合議組對(duì)該案進(jìn)行審理。合議組認(rèn)為，相對(duì)于駁回決定中引用的對(duì)比文件1、對(duì)比文件2以及本領(lǐng)域的公知常識(shí)，涉案專利申請(qǐng)的權(quán)利要求1具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，因而具有創(chuàng)造性，符合專利法第二十二條第三款的規(guī)定。
該案合議組在接受本報(bào)記者采訪時(shí)表示：“該案審理的焦點(diǎn)在于，孤立地來(lái)看涉案專利申請(qǐng)與對(duì)比文件1的區(qū)別，可能屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域的常用工藝手段，但對(duì)比文件1的發(fā)明目的與涉案專利申請(qǐng)不同，本領(lǐng)域技術(shù)人員是否具有改進(jìn)動(dòng)機(jī)成為涉案專利創(chuàng)造性判斷的關(guān)鍵，具體到本案，對(duì)比文件1不具有改進(jìn)的動(dòng)機(jī)。對(duì)比文件2雖然公開(kāi)了與上述區(qū)別類似的工藝手段，但該工藝手段在對(duì)比文件2中起到的作用與其在本申請(qǐng)中的作用不同，對(duì)比文件2沒(méi)有給出相應(yīng)的技術(shù)啟示。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員在對(duì)比文件1、對(duì)比文件2公開(kāi)內(nèi)容的基礎(chǔ)上，不能顯而易見(jiàn)地得到本申請(qǐng)權(quán)利要求所請(qǐng)求保護(hù)的技術(shù)方案?！?br />
綜上，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于2019年8月作出第185132號(hào)審查決定，宣告撤銷駁回決定，要求實(shí)質(zhì)審查部門以該復(fù)審請(qǐng)求審查決定所針對(duì)的文本為基礎(chǔ)繼續(xù)進(jìn)行審查。2019年9月30日，實(shí)質(zhì)審查部門向長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司發(fā)出授予發(fā)明專利權(quán)的通知書。
具有啟示意義
該案的審理決定一經(jīng)作出，就引發(fā)了社會(huì)的廣泛關(guān)注。業(yè)內(nèi)人士表示，該案對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)專利布局具有啟示意義，同時(shí)給出了在涉及半導(dǎo)體制造工藝類申請(qǐng)的創(chuàng)造性審查過(guò)程中，應(yīng)當(dāng)基于最接近的現(xiàn)有技術(shù)來(lái)判斷是否能夠產(chǎn)生改進(jìn)動(dòng)機(jī)，對(duì)于其他現(xiàn)有技術(shù)是否給出了技術(shù)啟示的考量，如果區(qū)別特征在該其他現(xiàn)有技術(shù)中所起的作用與區(qū)別特征在發(fā)明解決技術(shù)問(wèn)題的過(guò)程中所起的作用完全不同，則該其他現(xiàn)有技術(shù)難以給出將區(qū)別特征應(yīng)用到最接近的現(xiàn)有技術(shù)以解決其存在的技術(shù)問(wèn)題的啟示。
此外，該案對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體芯片企業(yè)突破國(guó)外巨頭專利壁壘也有指導(dǎo)意義。記者在采訪中了解到，如今半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)中，一家企業(yè)很難擁有某一產(chǎn)品的全部技術(shù)，通常是多個(gè)具有競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系的企業(yè)形成相互纏繞的局面，這些企業(yè)通過(guò)掌握的專利技術(shù)相互制約和搶占市場(chǎng)份額。如今的半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)中，核心專利大多已掌握在少數(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家的企業(yè)手上，例如3D NAND存儲(chǔ)技術(shù)主要掌握在美光、三星和SK海力士等跨國(guó)芯片制造廠商手中。這些跨國(guó)企業(yè)通常會(huì)以基礎(chǔ)專利為核心，對(duì)相關(guān)的**技術(shù)布局專利，形成專利壁壘。而如何突破國(guó)外企業(yè)的專利壁壘，是目前國(guó)內(nèi)芯片制造企業(yè)與這些跨國(guó)巨頭進(jìn)行競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)之一，這就要求國(guó)內(nèi)芯片制造企業(yè)具有更強(qiáng)更有效的專利布局戰(zhàn)略。
“面對(duì)跨國(guó)巨頭們的專利壁壘，‘農(nóng)村包圍城市’式的專利布局戰(zhàn)略也許會(huì)發(fā)揮獨(dú)特的作用。”上海光華專利事務(wù)所（普通合伙）專利代理師羅泳文在接受本報(bào)記者采訪時(shí)表示，針對(duì)跨國(guó)巨頭所掌握的基礎(chǔ)專利，企業(yè)在進(jìn)行技術(shù)研發(fā)時(shí)可對(duì)其進(jìn)行改進(jìn)。
“長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司提交的上述發(fā)明專利申請(qǐng)就屬于改進(jìn)型專利?！绷_泳文介紹，提交改進(jìn)型專利申請(qǐng)不會(huì)涉及侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)，只有生產(chǎn)制造和銷售時(shí)，才會(huì)產(chǎn)生侵權(quán)行為。這種改進(jìn)型專利一方面可以提高產(chǎn)品制造的效率及性能，提高產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力；另一方面，被授權(quán)也證明該技術(shù)屬于領(lǐng)域中的一個(gè)技術(shù)空白點(diǎn)，企業(yè)可以尋找更多的技術(shù)空白點(diǎn)，并在這些空白技術(shù)點(diǎn)上布局一定數(shù)量的專利，形成專利圈，對(duì)基礎(chǔ)專利進(jìn)行包圍，減弱基礎(chǔ)專利的威脅甚至使其失去作用。如此一來(lái)，一方面可以促使對(duì)方進(jìn)行交叉許可，企業(yè)可獲得其基礎(chǔ)專利的使用權(quán)；另一方面，通過(guò)不斷創(chuàng)新，完成專利戰(zhàn)略布局，還能逐步建立自身的專利技術(shù)體系。
案件亮點(diǎn)
該案的復(fù)審決定表明，在涉及半導(dǎo)體制造工藝類申請(qǐng)的創(chuàng)造性評(píng)判中，需要重點(diǎn)考慮涉及爭(zhēng)議焦點(diǎn)的工藝細(xì)節(jié)在整體制造工藝中實(shí)際解決的技術(shù)問(wèn)題和達(dá)到的技術(shù)效果，同時(shí)還需考慮以下方面的因素：現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷是否是本領(lǐng)域的普遍認(rèn)知，現(xiàn)有技術(shù)中存在的類似手段是否是為解決這一缺陷而提出的等等。
首先，涉案專利申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體芯片制造工藝，其工藝路線及手段發(fā)展相對(duì)成熟，其中如何發(fā)現(xiàn)導(dǎo)致產(chǎn)品性能不佳的工藝細(xì)節(jié)，是半導(dǎo)體芯片制造業(yè)中對(duì)于制造工藝改進(jìn)的重點(diǎn)和難點(diǎn)。在現(xiàn)有技術(shù)中即使發(fā)現(xiàn)了產(chǎn)品存在性能不佳的情況，但未必能意識(shí)到導(dǎo)致性能下降的工藝細(xì)節(jié)存在的缺陷，例如對(duì)比文件1中由于沒(méi)有限定具體的沉積工藝，該工藝細(xì)節(jié)也不屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠意識(shí)到的普遍存在的常識(shí)性的技術(shù)問(wèn)題，因而對(duì)比文件1不存在改進(jìn)相應(yīng)技術(shù)問(wèn)題的需求。
其次，在考慮其他現(xiàn)有技術(shù)是否給出了結(jié)合啟示的判斷中，不僅要考慮區(qū)別特征所涉及的技術(shù)手段本身是否已被現(xiàn)有技術(shù)公開(kāi)，還要考慮該技術(shù)手段在該現(xiàn)有技術(shù)的整體技術(shù)方案中所起到的作用、解決的技術(shù)問(wèn)題和獲得的技術(shù)效果與其在涉案申請(qǐng)中所起到的作用、解決的技術(shù)問(wèn)題和獲得的技術(shù)效果是否相同，從而綜合判斷是否給出了技術(shù)啟示。例如，對(duì)比文件2雖然公開(kāi)了與涉案專利申請(qǐng)相同的技術(shù)手段，但其在對(duì)比文件2中所起的作用與其在涉案申請(qǐng)中所起的作用不同，所解決的技術(shù)問(wèn)題和獲得的技術(shù)效果也不同，因此對(duì)比文件2沒(méi)有給出解決涉案專利申請(qǐng)相關(guān)技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)啟示。
最后，半導(dǎo)體芯片制造行業(yè)在我國(guó)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中具有舉足輕重的重要地位。近年來(lái)，半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域創(chuàng)新活躍，技術(shù)發(fā)展迅速，相關(guān)專利申請(qǐng)多涉及制造工藝細(xì)節(jié)，其對(duì)產(chǎn)品的性能、成本、成品率等有重要影響。從創(chuàng)新角度講，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)的相關(guān)專利能夠獲得保護(hù)，可以鼓勵(lì)半導(dǎo)體芯片制造業(yè)的技術(shù)人員更多地發(fā)掘已相對(duì)成熟的制造工藝中的技術(shù)缺陷并加以改進(jìn)，對(duì)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展具有重要意義。
