中國(guó)團(tuán)隊(duì)對(duì)新光刻技術(shù)已申請(qǐng)完整專利，但要應(yīng)用量產(chǎn)，仍任重道遠(yuǎn)

 

　　近日中科院官網(wǎng)報(bào)道，我國(guó)科研人員發(fā)表一種可進(jìn)行5納米超高精度激光光刻加工方法的論文，而此前荷蘭ASML公司則表示全世界擁有7納米以下的光刻技術(shù)只能采用自家EUV。這是否意味著中國(guó)將打破西方的光刻技術(shù)封鎖？其實(shí)不然，目前此技術(shù)還只停留在實(shí)驗(yàn)室中的研發(fā)階段，而想要量產(chǎn)任重道遠(yuǎn)，并且真正運(yùn)用于光刻機(jī)中也并非單項(xiàng)技術(shù)可以解決。所以還要理清思緒，不能被一些自吹自大的言論帶偏節(jié)奏。

　　在論文中可以得知該團(tuán)隊(duì)擁有完整知識(shí)產(chǎn)權(quán)的激光直寫技術(shù)，激光直寫是利用強(qiáng)度可變的激光束對(duì)基片表面的抗蝕材料實(shí)施變劑量曝光，顯影后在抗蝕層表面形成所要求的浮雕輪廓，我國(guó)團(tuán)隊(duì)正是在此技術(shù)上做出重要的突出改革。光刻機(jī)分為接觸光刻機(jī)、接近光刻機(jī)、投影光刻機(jī)和三束直寫光刻機(jī)，接觸與接近雖然價(jià)格相對(duì)便宜，但有著使掩膜版受損、污染和分辨率略低等缺陷。而投影光刻機(jī)設(shè)備昂貴，系統(tǒng)還非常復(fù)雜，其后續(xù)的保養(yǎng)與維護(hù)也是相當(dāng)?shù)囊还P費(fèi)用。

　　而此次所研究的直寫光刻機(jī)不需要昂貴的掩膜版，靈活性與分辨率都很高，不過(guò)傳統(tǒng)劣勢(shì)是生產(chǎn)效率極低，無(wú)法用于規(guī)?；纳a(chǎn)。不過(guò)此次我國(guó)科研人員的研究發(fā)現(xiàn)一種新型三層堆疊薄膜結(jié)構(gòu)，可采用雙激光束交疊技術(shù)達(dá)到最小5納米的特征線寬，最重要的則是實(shí)現(xiàn)納米狹縫電極陣列結(jié)構(gòu)的大規(guī)模制備。常規(guī)制備一個(gè)納米狹縫電極需要10-20分鐘，而采取這種新的激光直寫技術(shù)，一小時(shí)可制備5x10五次方個(gè)納米狹縫電極，打破直寫激光技術(shù)不可大規(guī)模生產(chǎn)的桎梏。
　　?中科院目前網(wǎng)站上已經(jīng)找不到這篇論文，這主要是因?yàn)椴簧倬W(wǎng)民對(duì)于光刻機(jī)話題過(guò)于敏感，紛紛抱著“打破西方技術(shù)封鎖”、“拯救華為”等旗號(hào)瘋狂轉(zhuǎn)載，產(chǎn)生一種不冷靜、不客觀的情緒來(lái)看待這項(xiàng)學(xué)術(shù)成果。直寫激光不能直接對(duì)芯片進(jìn)行加工，只是光刻機(jī)中的一部分，而且想要融入還任重道遠(yuǎn)。不過(guò)客觀上確實(shí)使國(guó)產(chǎn)光刻向前邁進(jìn)一大步，也是不爭(zhēng)的事實(shí)。