行之專利代理事務(wù)所 唐邦英
摘要：發(fā)明的創(chuàng)造性，是指與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)明具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，在判斷發(fā)明是否具備創(chuàng)造性時(shí)，不僅要考慮發(fā)明的技術(shù)方案本身，而且還要考慮發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域、所解決的技術(shù)問題和所產(chǎn)生的技術(shù)效果，將發(fā)明作為整體看待，筆者將發(fā)明專利創(chuàng)造性的挖掘歸納為：評(píng)價(jià)發(fā)明專利的創(chuàng)造性時(shí)，不能單獨(dú)考慮技術(shù)方案，應(yīng)當(dāng)從整體出發(fā)、綜合考慮影響創(chuàng)造性的因素，盡可能客觀合理的評(píng)價(jià)創(chuàng)造性。
關(guān)鍵詞：創(chuàng)造性 整體 發(fā)明專利創(chuàng)造性的挖掘
一、創(chuàng)造性、現(xiàn)有技術(shù)的概述:
評(píng)價(jià)發(fā)明是否具有創(chuàng)造性，應(yīng)當(dāng)以專利法第二十二條第三款為基準(zhǔn)。
專利法第二十二條第三款：創(chuàng)造性，是指與現(xiàn)有技術(shù)相比，該發(fā)明具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著的進(jìn)步，該實(shí)用新型具有實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和進(jìn)步。
發(fā)明有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)，是指對(duì)所屬技術(shù)領(lǐng)域人員來說，發(fā)明現(xiàn)對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)來說是非顯而易見的；發(fā)明有顯著的進(jìn)步，是指發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠產(chǎn)生有益的效果。
專利法第二十二條第三款所述的現(xiàn)有技術(shù)是指申請(qǐng)日以前為國內(nèi)外所知的技術(shù)。特別指出抵觸申請(qǐng)不屬于現(xiàn)有技術(shù)，不能用于評(píng)價(jià)創(chuàng)造性。
二、‘整體’概念的理解：
專利審查指南第二部分第四章3.1節(jié)指出，在評(píng)價(jià)發(fā)明是否具備創(chuàng)造性時(shí)，審查員不僅要考慮發(fā)明的技術(shù)方案本身，而且還要考慮發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域、所解決的技術(shù)問題和所產(chǎn)生的技術(shù)效果，將發(fā)明作為一個(gè)整體看待。
筆者在熟悉專利審查指南和專利法及其實(shí)施細(xì)則的前提下，結(jié)合實(shí)際的撰寫發(fā)明專利以及答復(fù)審查意見經(jīng)驗(yàn)，整體這一概念作出如下的理解：發(fā)明專利與現(xiàn)有技術(shù)比較時(shí)，一般情況下，兩者所屬的技術(shù)領(lǐng)域基本是相同或是相似的，應(yīng)當(dāng)結(jié)合發(fā)明以及現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)際解決的技術(shù)問題和所達(dá)到的技術(shù)效果綜合考量，判斷現(xiàn)有技術(shù)給出的技術(shù)啟示能否給出與本發(fā)明一致的技術(shù)效果，或是本發(fā)明的技術(shù)效果的相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)是否具備顯著進(jìn)步，特別指出，若是發(fā)明為生產(chǎn)工藝類的發(fā)明，該類發(fā)明包括若干的工藝步驟，此時(shí)的整體也可具體指整個(gè)技術(shù)方案。
三、發(fā)明專利創(chuàng)造性的挖掘：
筆者基于對(duì)創(chuàng)造性、現(xiàn)有技術(shù)、整體概念的充分理解，提出以下觀點(diǎn)：判斷發(fā)明專利是否具有創(chuàng)造性時(shí)，應(yīng)當(dāng)從整體出發(fā)，綜合考慮技術(shù)方案、技術(shù)領(lǐng)域、技術(shù)問題、技術(shù)效果，尤其是技術(shù)方案與技術(shù)效果之間的必然聯(lián)系：若是發(fā)明的技術(shù)方案得到的技術(shù)效果與現(xiàn)有技術(shù)的公開的技術(shù)方案推到的必然得到的技術(shù)效果不一致，則發(fā)明具有創(chuàng)造性；當(dāng)發(fā)明專利的技術(shù)方案為生產(chǎn)工藝步驟時(shí)，即使是工藝步驟被現(xiàn)有技術(shù)公開，也不能說明該發(fā)明不具備創(chuàng)造性：將整個(gè)技術(shù)方案從整體出發(fā)，如果發(fā)明現(xiàn)對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)對(duì)工藝步驟作出簡化從而達(dá)到了相同或更好的技術(shù)效果，則該發(fā)明具備創(chuàng)造性。
四、案例呈現(xiàn)：
為充分證明筆者上述的觀點(diǎn)，以如下實(shí)際案例引證說明：
案例一：
Ⅰ：案例介紹：
名稱為‘出光均勻的光模塊及其制作方法’的發(fā)明授權(quán)專利，公開號(hào)為CN102628571B。
權(quán)利要求1：出光均勻的光模塊，其特征在于：包括出光片（11）、以及設(shè)置在出光片（11）一側(cè)的若干LED光源（22）；所述出光片（11）與LED光源（22）之間的距離為R：1.5cm≤R≤4.5cm；所述相鄰的兩個(gè)LED光源（22）之間的距離為r：0.7cm≤r≤2.5cm；當(dāng)LED光源（22）的功率為0.5W時(shí)， LED光源（22）與出光片（11）之間的距離為R，2.5cm≤R≤4.5cm，相鄰的兩個(gè)LED光源（22）之間的距離為r：2cm≤r≤2.5cm；當(dāng)LED光源（22）的功率為0.1W時(shí)， LED光源（22）與出光片（11）之間的距離為R：1.5cm≤R≤2.3cm，相鄰的兩個(gè)LED光源（22）之間的距離為r：0.7cm≤r≤1cm；出光片（11）采用透光率為27%--60%，板厚2--4mm，彈性模量為400.000 PSI的亞克力板或聚碳酸酯板或以上板的化學(xué)改性板；所述LED光源（22）每兩個(gè)為一組安裝在電路基板上。
對(duì)比文件 1 （ CN101213400A ）公開了一種面光源設(shè)備，提供一種亮度和顏色均勻的面光源設(shè)備，并具體公開了：包括柱面鏡板 、以及設(shè)置在柱面鏡板下方的多個(gè)發(fā)光二極管光源；通過數(shù)學(xué)關(guān)系式公開了光源之間的距離與光源到柱面鏡板之間的距離的比例，光源之間的距離、光源到柱面鏡板之間的距離只要能滿足該公式便能達(dá)到出光均勻的效果，并在實(shí)施例部分具體給出柱面鏡板與發(fā)光二極管的距離為 40mm；各個(gè)發(fā)光光源排列間隔在水平方向和垂直方向上都是 12.5mm 的實(shí)施例。
對(duì)比文件 2（ CN1791766A ）公開了一種發(fā)光面體機(jī)構(gòu)體，使得發(fā)光面體進(jìn)行均勻的面發(fā)光，并具體公開了：包括發(fā)光面體 、以及設(shè)置在出光面體 一側(cè)的若干 LED 光源 ，發(fā)光面體 與 LED 光源的距離為 2.5cm，并且相鄰 LED 光源之間的距離為 5cm ，發(fā)光面體的厚度為 4mm，可以是聚碳酸酯材料制成。
對(duì)比文件 3（ CN101641547A ）公開了一種燈箱，能使得出光均勻，并具體公開了：包括光擴(kuò)散表面板 26 ，厚度為 3mm ，透光率為 30%-60% ，材料可以為聚碳酸酯板，并且 LED 光源之間的距離可以是 3cm 。
?、颍喊噶蟹治觯?br />
單看本發(fā)明權(quán)利要求1記載的技術(shù)方案，對(duì)比文件 1、2、3公開了有關(guān)出光片與LED光源之間的距離為R、相鄰的兩個(gè)LED光源之間的距離為r、R和r的范圍值、出光片的材料等技術(shù)特征，且對(duì)比文件1、2、3與本發(fā)明都屬于發(fā)光模塊技術(shù)領(lǐng)域；但是，結(jié)合本發(fā)明的技術(shù)效果和技術(shù)問題來看：對(duì)比文件 1 （ CN101213400A ）雖然月本發(fā)明的技術(shù)效果和技術(shù)問題一致，但是其公開的數(shù)學(xué)公式表上看雖然公開本發(fā)明R、r的的值，但是仔細(xì)推敲，對(duì)比文件 1 （ CN101213400A ）實(shí)施例所舉的數(shù)值雖然符合該公式的規(guī)律，但是本發(fā)明的R、r的范圍值卻不符合該公式，因此，根據(jù)對(duì)比文件 1 （ CN101213400A ）中的數(shù)學(xué)公式是不能推導(dǎo)得出本發(fā)明中的參數(shù)值，即對(duì)比文件 1 （ CN101213400A ）在解決技術(shù)問題上沒有給出任何技術(shù)啟示；對(duì)比文件 2（ CN1791766A ）公開的值只有一個(gè)落在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)，要解決出光不均勻的問題必然是R、r共同作用的結(jié)果，因此，對(duì)比文件 2（ CN1791766A ）沒有解決技術(shù)問題上沒有給出任何技術(shù)啟示；對(duì)比文件 3 CN101641547A ）公開有實(shí)施例1：在殼體深度為60mm，相鄰LED 光源在縱向和橫向方向保持100mm的間距，在該條件下，其出光均勻，對(duì)比文件公開的對(duì)比例1、比較例2、比較例3均是出光不均勻的，其中，比較例2公開的相鄰LED 光源在縱向和橫向方向保持40mm的間距，比較例3公開的相鄰LED 光源在縱向和橫向方向保持30mm的間距。按照上述對(duì)比例的技術(shù)趨勢。40mm以下的光源間距則會(huì)出光不均勻，包括30mm的光源間距也會(huì)出光不均勻，按照上述對(duì)比1和實(shí)施例1，可以得出一個(gè)技術(shù)趨勢為：當(dāng)鄰LED 光源在縱向和橫向方向的間距越來越小時(shí)，其出光均不均勻，因此按照上述趨勢，本領(lǐng)域的技術(shù)人員則會(huì)默認(rèn)“相鄰的兩個(gè) LED 光源之間的距離為 r ： 0.7cm ≤ r ≤ 2.5cm”的技術(shù)效果是出光不均勻的，但是該申請(qǐng)經(jīng)過發(fā)明人研究，發(fā)現(xiàn)在上述區(qū)別技術(shù)特征的條件下，可以起到出光均勻、無光斑的作用。因此，對(duì)比文件3不具備技術(shù)啟示，反而對(duì)比文件3可以說明本發(fā)明權(quán)利要求1的區(qū)別技術(shù)特征具有顯著的進(jìn)步性。
?、螅航Y(jié)論：
解決技術(shù)問題的必要技術(shù)特征包括數(shù)值范圍的技術(shù)方案，即使技術(shù)方案本身被公開，該發(fā)明專利也可能具備創(chuàng)造性：首先，要確定數(shù)值范圍是真公開還是假公開，例如上述的案例，本發(fā)明的數(shù)值范圍并沒有真正的落入對(duì)比文件中的公式，其次，若是數(shù)值范圍被公開，也要結(jié)合所要解決的技術(shù)問題和技術(shù)效果綜合考量，即使對(duì)比文件給出了本發(fā)明的數(shù)值范圍的啟示，其技術(shù)效果的啟示也必然隨著數(shù)值范圍的啟示，若是給出的技術(shù)效果的啟示與本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題不一致甚至相反，則本發(fā)明具有創(chuàng)造性，若是給出的技術(shù)效果的啟示與本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題一致，則本發(fā)明不具備創(chuàng)造性。
案例二：
?、瘢喊咐榻B：
名稱為‘一種用于太陽能電池的發(fā)射極制作工藝’的發(fā)明專利，公開號(hào)為CN 102881766A。
權(quán)利要求1： 一種用于太陽能電池的發(fā)射極制作工藝，其特征在于：包括如下步驟：
步驟A：采用擴(kuò)散工藝在基體硅片（1）表面制作PN結(jié)形成表層雜質(zhì)分布層（2）；
步驟B：對(duì)步驟A中的表層雜質(zhì)分布層（2）進(jìn)行氧化處理，在表層雜質(zhì)分布層（2）表面快速生長一層均勻分布的氧化層（3）；
步驟C：將步驟B中的氧化層（3）去除。
所述擴(kuò)散工藝為：選取POCL3液態(tài)源進(jìn)行擴(kuò)散；利用高純氮?dú)馔ㄈ氲揭簯B(tài)POCL3底部鼓泡，使得鼓泡攜帶POCL3通入到高溫爐管內(nèi)部與氧氣和硅片進(jìn)行反應(yīng)生成P原子擴(kuò)散進(jìn)入硅片表面形成N型層；
所述氧化處理的方法為高溫濕氧氧化；高溫濕氧氧化的過程為：將步驟A處理后的基體硅片（1）放在密閉的高溫爐中，然后通入高溫水蒸氣，通過水蒸氣與硅片表面擴(kuò)散層之間的反應(yīng)來快速生長氧化層。
對(duì)比文件 1(CN101673782A) 公開了一種用于太陽能電池的發(fā)射極的制備方法，并具體公開了以下步驟：采用磷源擴(kuò)散工藝在基體 P 型硅片表面制作 PN 結(jié)形成吸雜層，磷源最好是 POL 3，大氮流量為 1-3L/min ，小氮流量為 0.5-0.9L/min ，氧氣流量為 0.1-0.3L/min ，去除吸雜層；步驟 2 ）：對(duì)步驟 1 ）中得到的硅片表面進(jìn)行高溫濕氧氧化處理，在表面生長一層氧化層；將上述生長的氧化層去除；其中，高溫濕氧氧化的過程為：將經(jīng)過磷吸雜處理并去除吸雜層的基體硅片放在密閉的氧化爐中，然后在 700-1000 ℃ 的高溫下通入帶有水蒸氣的氧氣，通過帶有水蒸氣的氧氣與硅片表面擴(kuò)散層之間的反應(yīng)來生長氧化層。
?、颍喊噶蟹治觯?br />
對(duì)比文件 1(CN101673782A)與本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域相同，單看工藝步驟，對(duì)比文件 1(CN101673782A) 公開了本發(fā)明的表層雜質(zhì)分布層的形成、氧化層的形成、氧化層的去除、氧化過程，而液態(tài)源的擴(kuò)散又屬于常規(guī)技術(shù)手段，但是將整個(gè)制作工藝作為整體來看：
從工藝步驟角度來說：對(duì)比文件1是對(duì)PSG層、P原子富集層分別單獨(dú)進(jìn)行工藝處理，而且他們采用的工藝也是不同的。本發(fā)明是將PSG層、P原子富集層一并放入到高溫密閉環(huán)境下進(jìn)行水蒸汽氧化處理，最后直接去除氧化層，直接得到我們想要的摻雜層，因此，二者的工藝步驟是不同的；
從反應(yīng)條件角度來說：對(duì)比文件1雖然公開了氧化反應(yīng)去除P原子富集層，但是其公開的氧化反應(yīng)的條件是：氧氣通過去離子水后與P原子富集層進(jìn)行氧化反應(yīng)，在該反應(yīng)體系中，我們可以看出，其參與反應(yīng)的是氧氣，而水蒸氣的含量極少，不與P原子富集層反應(yīng)會(huì)只發(fā)生極少的反應(yīng)效果，而且對(duì)比文件1也未公開可以采用水蒸氣與PSG層反應(yīng)的技術(shù)啟示。本發(fā)明采用的水蒸氣參與與PSG層和P原子富集層的反應(yīng)，即，采用高溫的水蒸氣將PSG層和P原子富集層一并進(jìn)行氧化處理。
對(duì)比文件1是先去除PSG層后，再對(duì)P原子富集層進(jìn)行氧化，最后去除氧化層得到我們想要的摻雜層、對(duì)比文件1采用的是含有水蒸氣的氧氣進(jìn)行的濕氧氧化；本發(fā)明首先對(duì)PSG層以及P原子富集層進(jìn)行氧化處理，然后去除氧化層得到我們想要的摻雜層、本發(fā)明則采用水蒸氣進(jìn)行濕氧氧化。本發(fā)明與對(duì)比文件1的技術(shù)方案相比，其工藝簡化，節(jié)約了原材料，減低了成本，本發(fā)明的氧化是對(duì)PSG層以及P原子富集層進(jìn)行共同氧化，相對(duì)比文件1只是對(duì)P原子富集層，氧化的條件由于需要氧化的物質(zhì)成分、結(jié)構(gòu)的不同也有所改變，對(duì)比文件1中采用的含有水蒸氣的氧氣在高溫環(huán)境下對(duì)硅片表面進(jìn)行氧化處理其具有較高的氧化速率，但是由于含有水蒸氣的氧氣的氧濃度較高、水蒸氣濃度較低，其比較適合對(duì)P原子富集層進(jìn)行氧化，PSG層由于其具有特殊的結(jié)構(gòu)，含有水蒸氣的氧氣式的濕氧氧化不能將其氧化，故對(duì)比文件1中水蒸氣的氧氣式的濕氧氧化不能應(yīng)用到本發(fā)明的工藝中，本申請(qǐng)人在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn)：采用水蒸氣進(jìn)行濕氧氧化能夠?qū)SG層以及P原子富集層進(jìn)行共同氧化。
對(duì)比文件1的氧化反應(yīng)中，參與反應(yīng)的是氧氣，即氧化反應(yīng)的主導(dǎo)條件是氧氣，而本發(fā)明的氧化反應(yīng)中，參與反應(yīng)的是高溫的水蒸汽，即氧化反應(yīng)的主導(dǎo)條件是水。
從上分析我們可以看出，本發(fā)明是利用新的氧化反應(yīng)條件，即高溫密封環(huán)境下進(jìn)行水蒸汽氧化反應(yīng)，這樣的處理后，可以直接將最外層的PSG層和P原子富集層直接去除，達(dá)到減少工藝步驟的目的。對(duì)比文件1沒有給出任何關(guān)于水蒸氣進(jìn)行濕氧氧化能夠?qū)SG層以及P原子富集層進(jìn)行共同氧化的技術(shù)啟示，故本發(fā)明的技術(shù)方案是非顯而易見的，本發(fā)明具有突出的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)；同時(shí)本發(fā)明工藝簡化，節(jié)約了原材料，減低了成本，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)具有顯著的進(jìn)步。本發(fā)明具備專利法所述的創(chuàng)造性。
?、螅航Y(jié)論：
當(dāng)發(fā)明專利的技術(shù)方案為生產(chǎn)工藝步驟時(shí)，即使是工藝步驟被現(xiàn)有技術(shù)公開，也不能說明該發(fā)明不具備創(chuàng)造性：如上述案例，將整個(gè)技術(shù)方案從整體出發(fā)，發(fā)明現(xiàn)對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)對(duì)工藝步驟作出簡化從而達(dá)到了相同或更好的技術(shù)效果，則該發(fā)明具備創(chuàng)造性。
五、總結(jié)：
在評(píng)價(jià)發(fā)明專利相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的創(chuàng)造性時(shí)，應(yīng)當(dāng)從整體出發(fā)，綜合考慮技術(shù)方案、技術(shù)領(lǐng)域、技術(shù)問題、技術(shù)效果，不能單方面的考慮發(fā)明的技術(shù)方案是否被現(xiàn)有技術(shù)公開，且現(xiàn)有技術(shù)給出的技術(shù)啟示，不僅要考慮對(duì)技術(shù)方案的啟示，同時(shí)也要考慮對(duì)技術(shù)效果的啟示，綜合技術(shù)方案和技術(shù)效果的啟示來判斷發(fā)明所要解決的技術(shù)問題與現(xiàn)有技術(shù)給出的相同還是相悖，特備特別指出，關(guān)于省略工藝步驟類的發(fā)明，更是不能簡單的以技術(shù)方案被現(xiàn)有技術(shù)公開而判斷發(fā)明物創(chuàng)造性。
關(guān)注行之知識(shí)產(chǎn)權(quán)集團(tuán)，讓知識(shí)更有價(jià)值
標(biāo)簽：
